[发明专利]一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法无效
| 申请号： | 201210094513.4 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102610724A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;田野;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法，该电致发光器件包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。本发明采用P型硅片为衬底，以CdZnO薄膜为主要发光材料，结合绝缘层、电极层等，通过合适的工艺制备获得了CdZnO/绝缘层/p+-Si结构的电致发光器件。本发明方法工艺简单，制备周期短，对设备要求不高，与现行成熟的硅器件工艺兼容；所制得的电致发光器件结构简单，开启电压低，在一定的正向偏压下能够实现在可见区的电致发光，且发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cdzno 薄膜 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件，包括P型硅衬底，其特征在于，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。
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