[发明专利]一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法无效
| 申请号： | 201210094513.4 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102610724A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;田野;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cdzno 薄膜 电致发光 器件 制备 方法 | ||
1.一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件，包括P型硅衬底，其特征在于，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的P型硅衬底采用重掺P型硅片，重掺P型硅片的电阻率为0.01～1欧姆·厘米。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的绝缘层为MgO薄膜或SiO2薄膜；绝缘层的厚度为30～60nm。
4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的CdZnO薄膜的厚度为60～200nm。
5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的电极层为半透明Au电极；半透明Au电极的厚度为20～40nm。
6.一种如权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，包括：
(1)采用溅射法在P型硅衬底上沉积绝缘层；
(2)采用溅射法在绝缘层上沉积CdZnO薄膜，再在惰性气体气氛下进行快速热处理；
(3)采用溅射法在CdZnO薄膜上沉积电极层，在P型硅衬底背面沉积欧姆接触电极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，沉积绝缘层后进行加热处理，加热处理温度为400～500℃，加热处理时间为1～2小时。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沉积CdZnO薄膜时P型硅衬底的温度为400～700℃。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沉积CdZnO薄膜所用的靶材为CdZnO陶瓷靶，CdZnO陶瓷靶中Cd掺杂量以摩尔含量计为20％。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述快速热处理的升温速率为10～100℃/s，快速热处理的最高温度为800～900℃，在最高温度下维持的时间为1～200s。
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