[发明专利]等离子体处理方法无效
| 申请号： | 201210093444.5 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102737946A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 壁义郎;小林岳志;米泽亮太 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种将形成在基板上的沟槽侧面的氧化膜薄膜化且抑制沟槽上的图案上部的边角被侵蚀的等离子体处理方法。它是一种在热氧化膜60形成后用等离子体对形成有沟槽61的晶圆W进行氧化处理的等离子处理方法，在该方法中，晶圆W被放置在施加有离子引入用高频电压的基座上，用等离子体进行的氧化处理是边将离子引入用高频电压施加到基板上边进行的。等离子体氧化处理中的处理气体为含氦与氧的混合气体，等离子体处理在减压容器内于6.7～133Pa的压力下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
等离子体处理方法，其是在将被处理体用微波等离子体进行处理的等离子体处理装置中于氧化膜形成后用等离子体氧化处理形成有沟槽的基板的等离子体处理方法，所述基板放置于施加有离子引入用高频电压的放置台上，所述用等离子体进行的氧化处理是边将离子引入用高频电压施加到基板上边进行的，所述等离子体氧化处理中的处理气体为包含比氩原子量小的稀有气体与氧气的混合气体，所述等离子体处理在减压容器内于6.7～133Pa的压力下进行。
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