[发明专利]等离子体处理方法

权利要求书

1.等离子体处理方法，其是在将被处理体用微波等离子体进行处理的等离子体处理装置中于氧化膜形成后用等离子体氧化处理形成有沟槽的基板的等离子体处理方法，所述基板放置于施加有离子引入用高频电压的放置台上，所述用等离子体进行的氧化处理是边将离子引入用高频电压施加到基板上边进行的，所述等离子体氧化处理中的处理气体为包含比氩原子量小的稀有气体与氧气的混合气体，所述等离子体处理在减压容器内于6.7～133Pa的压力下进行。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述比氩原子量小的稀有气体为氦气或氖气。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述比氩原子量小的稀有气体为氦气，该氦气的流量为100～500ml/min，所述氧气的流量为10～30ml/min。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述等离子体处理时的基板温度为200～600℃。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述等离子体处理中的处理气体含氢气，所述氢气的流量为1～100ml/min。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述微波的功率为1000～4000W。