[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法

摘要

本发明提供所述晶圆缺陷检测方法，在对目标方块单元中周期性重复图形的区域进行缺陷检测的过程中，通过确定最小周期并设定偏移量，将参考方块单元图形按照所述偏移量进行偏移获得偏移参考区域，将所述待检区域图形与所述偏移参考区域进行形貌比较，若待检区域中某一图形与偏移参考区域中对应位置的图形均不一致时，则判定异常；对成对出现且间隔距离为一个偏移量的两个异常图形，判断位于偏移量方向起始处的异常图形为缺陷，位于偏移量方向终止处的异常图形非缺陷；对于其余单独出现的异常图形判断为缺陷。所述晶圆缺陷检测方法能够检测出由于掩膜版缺陷等问题造成的晶圆上方块单元在相同位置存在的同样的缺陷，检测结果准确，检测方法简单易行。

主权项

一种晶圆缺陷检测方法，所述晶圆表面包括若干周期性重复的方块单元，所述方块单元中存在至少一个具有周期性重复图形的区域，所述晶圆缺陷检测方法包括以下步骤：获取晶圆的版图设计数据和晶圆表面形貌信息；根据所述版图设计数据和晶圆表面形貌信息，选定目标方块单元中具有周期性重复图形的区域为待检区域；确定所述待检区域中图形重复的最小周期，根据所述最小周期设定偏移量；以与目标方块单元相邻的方块单元为参考方块单元，将参考方块单元中与所述待检区域位置对应的参考区域的图形按照所述偏移量进行偏移，获得偏移参考区域；对待检区域图形进行缺陷检测，将所述待检区域图形与所述偏移参考区域图形进行形貌比较，若待检区域中某处图形与偏移参考区域中对应位置的图形均不一致时，则判定该处图形存在异常；扫描所述待检区域上异常图形，对成对出现且间隔距离为一个偏移量的两个异常图形，判断位于偏移量方向起始处的异常图形为缺陷，位于偏移量方向终止处的异常图形非缺陷；对于其余单独出现的异常图形判断为缺陷。