[发明专利]存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器的制造方法。于导体层上形成罩幕图案，包括有源区的第一线形图案与周边区的ㄩ字形图案，后者具有形成开口的第二、第三以及第四线形图案，其中第二及第三线形图案与第四线形图案的两端连接。对罩幕图案实施修整工艺。于罩幕图案侧壁上自行对准地形成绝缘图案，填满开口。移除罩幕图案，使绝缘图案具沟槽。移除部分绝缘图案，形成与沟槽连通的开口。以绝缘图案为罩幕，图案化导体层，于有源区与周边区形成第一与第二导体图案。移除绝缘图案。于第一与第二导体图案之间形成介电层。形成与第二导体图案电性连接的导体图案。本发明通过具特殊构形的罩幕图案、移除特定部分的绝缘图案以及图案化光阻层的位置，提升周边区效能。

主权项

一种存储器的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括一有源区与一周边区；于该基底上形成一第一导体层；于该第一导体层上形成一罩幕图案，该罩幕图案包括位于该有源区的一第一线形图案与位于该周边区的一ㄩ字形图案，该ㄩ字形图案具有一第二线形图案、一第三线形图案以及一第四线形图案，其中该第二线形图案及该第三线形图案与该第四线形图案的两端连接，使该第二线形图案、该第三线形图案以及该第四线形图案形成一第一开口，该第一线形图案的末端与该ㄩ字形图案的该第二线形图案的末端以外的位置连接；对该罩幕图案实施修整工艺，以缩小该第一线形图案、该第二线形图案、该第三线形图案以及该第四线形图案的线宽；于该罩幕图案的侧壁上自行对准地形成一绝缘图案，该绝缘图案填满该第一开口；移除该罩幕图案，使该绝缘图案具有暴露出部分该第一导体层的一沟槽，该沟槽的轮廓对应于该罩幕图案的轮廓；移除部分该绝缘图案，使绝缘图案具有一第二开口，该第二开口与该沟槽连通；以该绝缘图案为罩幕，图案化该第一导体层，以分别于该有源区与该周边区形成一第一导体图案与一第二导体图案；移除该绝缘图案；于该基底上形成一介电层，该介电层位于该第一导体图案与该第二导体图案之间；以及于该介电层上形成与该第二导体图案电性连接的一第三导体图案。