[发明专利]一种带隙基准电压源电路有效

专利信息
申请号: 201210088717.7 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN102609027A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 贾晓伟;邓龙利;王帅旗 申请(专利权)人: 北京经纬恒润科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 100101 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种带隙基准电压源电路,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻。本发明公开的带隙基准电压源电路中没有用到误差放大器,因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对系统的影响,并且节省了功耗和面积;另外,基准电压Vref的输出支路并未采用一个支路单独产生,也在一定程度上避免了电流镜像失陪引起的失调电压的影响,并且节省了面积和功耗。
搜索关键词: 一种 基准 电压 电路
【主权项】:
一种带隙基准电压源电路,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻;其中:所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极和衬底接入电源电压;所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极同时连接至所述第四PMOS管的源极及所述第二PMOS管的漏极;所述第一PMOS管的漏极连接至所述第三PMOS管的源极;所述第三PMOS管和第四PMOS管的衬底接入电源电压;所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极同时连接至所述第二NPN型三极管的集电极及所述第四PMOS管的漏极;所述第三PMOS管的漏极通过所述第二电阻连接至所述第一NPN三极管的集电极;所述第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极连接至所述第一NPN型三极管的集电极;所述第一NPN型三极管的发射极接地;所述第二NPN型三极管的发射极通过所述第一电阻接地;所述第三PMOS管的漏极作为基准电压输出端。
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