[发明专利]一种带隙基准电压源电路

权利要求书

1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻；其中：

所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极和衬底接入电源电压；

所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极同时连接至所述第四PMOS管的源极及所述第二PMOS管的漏极；

所述第一PMOS管的漏极连接至所述第三PMOS管的源极；

所述第三PMOS管和第四PMOS管的衬底接入电源电压；

所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极同时连接至所述第二NPN型三极管的集电极及所述第四PMOS管的漏极；

所述第三PMOS管的漏极通过所述第二电阻连接至所述第一NPN三极管的集电极；

所述第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极连接至所述第一NPN型三极管的集电极；

所述第一NPN型三极管的发射极接地；

所述第二NPN型三极管的发射极通过所述第一电阻接地；

所述第三PMOS管的漏极作为基准电压输出端。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述第一PMOS管和第二PMOS管的器件参数相同；所述第三PMOS管和第四PMOS管的器件参数相同；所述第一NPN型三极管和第二NPN三极管的发射极面积比为n∶1，其中，表示求导数，Vbe1表示第一NPN型三极管的基极-发射极结电压，T表示绝对温度，q表示电子电荷量，K表示波尔兹曼常数，R2表示所述第二电阻的电阻值，R1表示所述第一电阻的电阻值。