[发明专利]基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法有效
申请号: | 201210086587.3 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102723295A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 山涌纯;舆水地盐;松土龙夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01K11/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即使由于磨损等原因表面和背面的平行遭到破坏、也能够使用利用了低相干光的干涉的温度测量装置进行准确的温度测量的基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法。在真空气氛中使用且被测量温度的聚焦环(25)具有:消耗面(25a),其暴露在等离子体的消耗气氛中;非消耗面(25b),其不暴露在消耗气氛中;薄壁部(25T),其具有相互平行的上表面(25Ta)及下表面(25Tb);覆盖构件(25d),其用于覆盖薄壁部(25T)的上表面(25Ta)。薄壁部(25T)的上表面(25Ta)和下表面(25Tb)分别被进行了镜面加工。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 室内 构成 构件 及其 温度 测量方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置的处理室内构成构件,该处理室内构成构件被测量温度,其特征在于,具有:消耗面,其暴露在消耗气氛中;非消耗面,其不暴露在所述消耗气氛中;温度测量部,其具有相互平行的靠所述消耗面侧的面及靠所述非消耗面侧的面;覆盖部,其用于覆盖该温度测量部的靠所述消耗面侧的面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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