[发明专利]基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法有效

专利信息
申请号: 201210086587.3 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN102723295A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 山涌纯;舆水地盐;松土龙夫 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;G01K11/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种即使由于磨损等原因表面和背面的平行遭到破坏、也能够使用利用了低相干光的干涉的温度测量装置进行准确的温度测量的基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法。在真空气氛中使用且被测量温度的聚焦环(25)具有:消耗面(25a),其暴露在等离子体的消耗气氛中;非消耗面(25b),其不暴露在消耗气氛中;薄壁部(25T),其具有相互平行的上表面(25Ta)及下表面(25Tb);覆盖构件(25d),其用于覆盖薄壁部(25T)的上表面(25Ta)。薄壁部(25T)的上表面(25Ta)和下表面(25Tb)分别被进行了镜面加工。
搜索关键词: 处理 装置 室内 构成 构件 及其 温度 测量方法
【主权项】:
一种基板处理装置的处理室内构成构件,该处理室内构成构件被测量温度,其特征在于,具有:消耗面,其暴露在消耗气氛中;非消耗面,其不暴露在所述消耗气氛中;温度测量部,其具有相互平行的靠所述消耗面侧的面及靠所述非消耗面侧的面;覆盖部,其用于覆盖该温度测量部的靠所述消耗面侧的面。
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