[发明专利]基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法。

背景技术

在使用在处理室内产生的等离子体对作为基板的晶圆实施规定的等离子体处理的基板处理装置中，配置在处理室内的构件由于等离子体而消耗。尤其是，以将晶圆围起来的方式配置的、由与该晶圆相同的材料构成的聚焦环由于暴露在密度比较高的等离子体中而消耗量较大。由于聚焦环一经消耗，晶圆上的等离子体的分布即发生变化，所以需要对聚焦环的消耗量进行监测，如果消耗量超过规定量，则对聚焦环进行更换。

另外，以往以来，在对晶圆实施等离子体处理等各种处理时，从谋求处理的准确的观点出发，对晶圆及处理室内的各构成构件的温度进行测量并进行控制。并且，近几年，提出有关于使用低相干光干涉温度计的温度测量方法的技术，即：向作为温度测量对象物的、例如聚焦环的背面照射低相干光，通过测量来自表面及背面的反射光和参照光之间的干涉，测量聚焦环的温度(例如，参照专利文献1及专利文献2)。

专利文献1：日本特开2008-227063号公报

专利文献2：日本特开2003-307458号公报

然而，在使用低相干光干涉温度计的温度测量技术中，测量对象物必须满足如下条件：能够透射一部分测量光；测量部位的表面和背面之间的平行度高；以及表面及背面被进行了镜面加工等。因此，存在这样的问题：如果测量对象物由于等离子体而磨损，不再保持表面和背面的平行度，则缺乏作为测量对象物的必要条件，不能测量准确的温度。

另外，在以往的涉及使用低相干光干涉温度计的温度测量技术的提案中，涉及低相干光干涉温度计的改良技术是主流，存在没有对使测量对象物适合于使用了低相干光干涉温度计的温度测量下功夫的问题。

发明内容

本发明的课题是提供一种即使由于磨损等原因表面和背面的平行受到破坏、也能使用利用了低相干光的干涉的温度测量装置进行准确的温度测量的基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法。

为了解决上述课题，技术方案1所述的基板处理装置的处理室内构成构件是被测量温度的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，具有：

消耗面，其暴露在消耗气氛中；非消耗面，其不暴露在所述消耗气氛中；温度测量部，其具有相互平行的靠所述消耗面侧的面及靠所述非消耗面侧的面；覆盖部，其用于覆盖该温度测量部的靠所述消耗面侧的面。

技术方案2所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案1所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，所述温度测量部是与设在所述消耗面上的凹部相对应的薄壁部，该薄壁部的靠所述消耗面侧的面和靠非消耗面侧的面分别被进行了镜面加工。

技术方案3所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案2所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，所述覆盖部的与所述薄壁部的靠消耗面侧的面相对的面被进行了粗糙加工。

技术方案4所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案2或3所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，在所述凹部的内表面和所述覆盖部的抵接部之间设有传热片或传热气体。

技术方案5所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案2至4中任意一项所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，所述覆盖部由硅(Si)、碳化硅(SiC)、石英、蓝宝石、陶瓷、氧化铝(Al₂O₃)及氮化铝(AlN)中的任意一种构成。

技术方案6所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案1所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，所述温度测量部是嵌合于凹部的温度测量用构件，该凹部设于所述基板处理装置的处理室内构成构件的所述非消耗面，该温度测量用构件的靠所述消耗面侧的面和靠所述非消耗面侧的面分别被进行了镜面加工。

技术方案7所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案6所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，所述凹部的与所述温度测量用构件的靠所述消耗面侧的面相对的内表面被进行了粗糙加工。

技术方案8所述的基板处理装置的处理室内构成构件是根据技术方案6或7所述的基板处理装置的处理室内构成构件，其特征在于，在所述凹部的内表面和所述温度测量用构件的抵接部之间设有传热片或传热气体。