[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201210085267.6 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367555A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一具有第一外延生长面的基底；在外延生长面设置一碳纳米管层；在第一外延生长面垂直生长本征半导体层；去除所述碳纳米管层，得到表面具有纳米微结构的外延衬底；将所述外延衬底具有纳米微结构的表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域，以暴露部分第一半导体层；以及，形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。本发明发光二极管的制备方法工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a，提供一具有第一外延生长面的基底；步骤b，在所述基底的第一外延生长面设置一碳纳米管层；步骤c，在基底的第一外延生长面垂直生长本征半导体层，所述本征半导体层为由碳纳米管层中的碳纳米管间隔的非连续性的外延层；步骤d，去除所述碳纳米管层，得到表面具有纳米微结构的外延衬底；步骤e，将所述外延衬底具有纳米微结构的表面作为第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，所述第一半导体层与所述外延衬底接触的表面与所述外延衬底具有纳米微结构的表面相啮合；步骤f，形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。
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