[发明专利]一种IIIA‑VA族半导体单晶衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201210082523.6 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103361735B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 莫里斯·杨;戴维斯·张;刘文森;王元立 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 钟守期,唐铁军 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IIIA‑VA族半导体单晶衬底，其具有下列的两种性质之一或同时具有下列两种性质从晶片表面到内部10微米的深度范围内的氧含量在1.6×1016‑‑5.6×1017原子/cm3范围；以及，电子迁移率为4800cm2/V.S‑5850cm2/V.S。还提供一种制备此类IIIA‑VA族半导体单晶衬底的方法，包括将待处理的单晶衬底放入一个容器内；密封容器，待处理的单晶衬底在晶体熔点‑240至晶体熔点‑30摄氏度的温度范围内保持5‑20小时；优选地，对于砷化镓单晶在1000‑1200摄氏度保持5‑20小时，对于磷化铟单晶，在830‑1028摄氏度保持5‑20小时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iiia va 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓单晶衬底，其具有下列1)的性质或同时具有下列1)和2)两种性质：1)从砷化镓单晶衬底表面到内部10微米的深度范围内的氧含量在1.6×1016‑‑5.6×1017原子/cm3范围；50‑60微米深度处的氧含量0.8‑4×1017原子/cm3范围；80‑90微米深度处的氧含量2‑6.5×1016原子/cm3范围；和2)电子迁移率为4800cm2/V.S‑5850cm2/V.S。
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