[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种提高浮体效应存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法，通过采用中性离子对漏极区域上方的侧墙进行离子注入，使得在侧墙刻蚀工艺中对漏极区域上方的侧墙薄膜刻蚀速度要大于源极区域上方的侧墙薄膜的刻蚀速度，刻蚀后漏极区域上方的侧墙宽度较小，而源极区域上方的侧墙宽度较大；在源漏重掺杂注入和退火工艺后，漏极重掺杂区的掺杂离子离沟道距离被拉近，源极重掺杂区的掺杂离子与沟道的距离被拉远，不仅提高了漏极沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，而且降低了积聚载流子从源极重掺杂区的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。

主权项

一种提高浮体效应存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；在所述衬底上形成侧墙沉积层；在所述源极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层；采用中性离子对漏极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入；去除所述光刻胶层，对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，并在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，所述源极侧墙的截面宽度大于所述漏极侧墙的截面宽度。