[发明专利]大功率LED封装工艺无效
| 申请号： | 201210081061.6 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623586A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 赵长亮;刘杰 | 申请（专利权）人： | 南通钰成光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226004 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了大功率LED封装工艺，生产的具体步骤为：A，将LED芯片设置在支架上；然后进行烘烤；B，进行焊线；C，点荧光粉胶；D，将点过荧光粉胶的LED进行烘烤E，盖透镜；F，充胶；G，将充胶后的LED，进行烘烤，烘烤为二个阶段；H，待LED冷却后，进行剥料装料，分光测试，粘贴标签。本发明提供了大功率LED封装工艺，可以使得透镜与硅胶粘合无分层现象，粘贴紧密，延长了大功率LED的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 led 封装 工艺 | ||
【主权项】：
大功率LED封装工艺，生产的具体步骤为：A，将LED芯片设置在支架上；然后进行烘烤，烘考温度120℃～160℃，烘烤时间30分钟；B，进行焊线；C，点荧光粉胶；D，将点过荧光粉胶的LED进行烘烤，烘考温度100℃～140℃，烘烤时间60分钟；E，盖透镜；F，充胶；G，将充胶后的LED，进行烘烤，烘烤为二个阶段，第一阶段的烘烤温度110℃～120℃，时间为60分钟；第二阶段的烘烤温度125℃～130℃，时间为120分钟；H，待LED冷却后，进行剥料装料，分光测试，粘贴标签。
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