[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

摘要

本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，其在不利用晶圆的分步旋转而进行离子注入时，实现与对应于容易在利用等离子体的工序及退火工序中产生的面内不均匀图案的形状相应的二维离子注入量面内分布。本发明在对离子束进行往返扫描且沿与离子束扫描方向正交的方向机械扫描晶圆来将离子注入于晶圆中时，利用规定速度校正量的各个控制函数对离子束扫描方向的射束扫描速度和机械扫描方向的晶圆扫描速度同时且独立地进行速度控制，从而生成用于校正其他半导体制造工序的晶圆面内不均匀性的各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。

主权项

一种离子注入方法，对离子束进行往返扫描且沿与离子束扫描方向正交的方向机械扫描晶圆来将离子注入于晶圆中，其特征在于，利用规定了速度校正量的各个控制函数，对离子束扫描方向的射束扫描速度和机械扫描方向的晶圆扫描速度同时且独立地进行速度控制，生成用于对其他半导体制造工序的晶圆面内不均匀性进行校正的各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。