[发明专利]低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列有效
| 申请号： | 201210080117.6 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102611002A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 杨晔;佟存柱;汪丽杰;王立军;曾玉刚;刘云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，属于半导体激光器领域，为了降低纵向和横向发散角，以改善激光器的光束质量，获得高亮度激光输出，本发明设计了低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列纵向结构从下至上依次为：N型衬底、N型限制层、N型布拉格反射波导、有源区、P型布拉格反射波导、P型限制层、P型盖层，所述纵向结构中N型布拉格反射波导和P型布拉格反射波导分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，该阵列横向结构包括电流注入区和其两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区。本发明实现了高亮度激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 发散 布拉格 反射 波导 半导体激光器 阵列 | ||
【主权项】：
低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列的纵向结构从下至上依次为：N型衬底(101)、N型限制层(102)、N型布拉格反射波导(103)、有源区(104)、P型布拉格反射波导(105)、P型限制层(106)和P型盖层(107)，所述纵向结构中N型布拉格反射波导(103)和P型布拉格反射波导(105)分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，其特征在于，该阵列横向结构包括电流注入区(201)和电流注入区(201)两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区(201)。
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