[发明专利]低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列有效
| 申请号： | 201210080117.6 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102611002A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 杨晔;佟存柱;汪丽杰;王立军;曾玉刚;刘云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发散 布拉格 反射 波导 半导体激光器 阵列 | ||
【权利要求书】：
1.低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列的纵向结构从下至上依次为：N型衬底(101)、N型限制层(102)、N型布拉格反射波导(103)、有源区(104)、P型布拉格反射波导(105)、P型限制层(106)和P型盖层(107)，所述纵向结构中N型布拉格反射波导(103)和P型布拉格反射波导(105)分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，其特征在于，该阵列横向结构包括电流注入区(201)和电流注入区(201)两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区(201)。
2.根据权利要求1所述的低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，其特征在于，所述电流注入区(201)由下至上包括该阵列的整个纵向结构。
3.根据权利要求1所述的低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，其特征在于，所述高、低脊形结构包括该阵列的纵向结构从下至上为N型衬底(101)至P型布拉格波导(105)和P型盖层(107)之间的任意一层结构，所述高脊形结构高于低脊形结构。
4.根据权利要求1所述的低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，其特征在于，所述电流注入区(201)为多个。
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