[发明专利]涂敷膜形成装置和涂敷膜形成方法有效
申请号: | 201210076863.8 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102693901A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 宫崎文宏;元田公男;大塚庆崇 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05D1/28;G03F7/16 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供涂敷膜形成装置和涂敷膜形成方法。通过使用两个喷嘴提高基板的涂敷处理的生产节拍时间并抑制成本。涂敷膜形成装置包括:喷嘴保持部件(12),其保持沿基板输送方向前后配置的第1喷嘴(16)和第2喷嘴(17);喷嘴移动部件(11),其使喷嘴保持部件沿基板输送方向移动;控制部件(40),其进行第1喷嘴及上述第2喷嘴的驱动控制、上述喷嘴移动部件的驱动控制,上述控制部件控制上述喷嘴移动部件以便将上述第1喷嘴和上述第2喷嘴配置在基板输送路径上的同一个涂敷位置,并进行控制以便利用该喷嘴移动部件使上述喷嘴保持部件移动,利用配置在上述同一个涂敷位置的上述第1喷嘴和第2喷嘴中的任一个喷嘴向上述基板喷出处理液。 | ||
搜索关键词: | 涂敷膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种涂敷膜形成装置,其包括具有在基板的宽度方向上较长的狭缝状的喷出口的第1喷嘴和第2喷嘴,从上述第1喷嘴和第2喷嘴中的任意一个喷嘴的喷出口向在上述喷嘴的下方沿着基板输送路径输送的上述基板喷出处理液,在上述基板上形成规定的涂敷膜,其特征在于,该涂敷膜形成装置包括:喷嘴保持部件,其用于对沿着基板输送方向前后配置的上述第1喷嘴和第2喷嘴进行保持;喷嘴移动部件,其用于使上述喷嘴保持部件沿着基板输送方向移动;控制部件,其用于进行上述第1喷嘴及上述第2喷嘴的驱动控制、上述喷嘴移动部件的驱动控制,上述控制部件控制上述喷嘴移动部件,以便将上述第1喷嘴和上述第2喷嘴配置在基板输送路径上的同一个涂敷位置,上述控制部件进行控制,以便利用上述喷嘴移动部件使上述喷嘴保持部件移动,并利用配置在上述同一个涂敷位置的上述第1喷嘴和第2喷嘴中的任意一个喷嘴向上述基板喷出处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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