[发明专利]垂直发光二极管无效

专利信息
申请号: 201210074689.3 申请日: 2012-03-20
公开(公告)号: CN102694100A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 李伟吉;陈学龙;陈彰和 申请(专利权)人: 华新丽华股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/46
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾桃园县杨*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明关于一种具有新构造的垂直发光二极管,该新构造可减低电流丛聚效应(current crowding effect)并提高发光二极管的光提取效率。经由提供与一电极对应设置的至少一电流阻障件,可使来自电极的电流于电极下方沿横向扩散或分布而非直接沿径向往下扩散或分布,藉此可减低电流丛聚效应。此外,经由提供至少一被一镜面层覆盖的电流阻障件以形成一全向反射结构,发光二极管的内部光可被该全向反射结构反射并藉此提高光提取效率。
搜索关键词: 垂直 发光二极管
【主权项】:
一种垂直发光二极管,包含:一下电极;一多层半导体层,设置于该下电极上,该多层半导体层具有一上表面、一下表面及至少一电流阻障件,且该至少一电流阻障件设置于该下表面上;以及一上电极,设置于该上表面上,且该至少一电流阻障件与该上电极对应设置。
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