[发明专利]垂直发光二极管无效
| 申请号： | 201210074689.3 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102694100A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 李伟吉;陈学龙;陈彰和 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 | ||
1.一种垂直发光二极管，包含：
一下电极；
一多层半导体层，设置于该下电极上，该多层半导体层具有一上表面、一下表面及至少一电流阻障件，且该至少一电流阻障件设置于该下表面上；以及
一上电极，设置于该上表面上，且该至少一电流阻障件与该上电极对应设置。
2.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，该至少一电流阻障件与该上电极对齐设置。
3.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，该至少一电流阻障件与该上电极互补设置。
4.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，该上电极更包含一电流阻障件，且该电流阻障件被一镜面层覆盖而形成一全向反射结构。
5.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，该上电极为一金属垫，且该金属垫下方具有一电流阻障件。
6.如权利要求5所述的垂直发光二极管，其特征在于，该电流阻障件被一镜面层覆盖而形成一全向反射结构。
7.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，该上电极具有一主体及至少一延伸部，该至少一延伸部是自该主体延伸而出。
8.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，该多层半导体层更包含：
一下半导体层，设置于该下电极上，且该下半导体层具有该下表面及该至少一电流阻障件；
一多层量子井层，设置于该下半导体层上；以及
一上半导体层，设置于该多层量子井层上，且该上半导体层具有该上表面。
9.如权利要求8所述的垂直发光二极管，其特征在于，该至少一电流阻障件设置于该下半导体层的底部、中段或顶部。
10.如权利要求8所述的垂直发光二极管，其特征在于，该至少一电流阻障件分别被一镜面层覆盖而形成一全向反射结构。
11.如权利要求8所述的垂直发光二极管，其特征在于，该下半导体层与该上半导体层的其中一者为一P型半导体层，另一者为一N型半导体层。
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