[发明专利]陶瓷热敏电阻的制备方法有效
申请号: | 201210072615.6 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN102592763A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 蒋春萍;孔雯雯 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01C7/04 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种陶瓷热敏电阻的制备方法,首先制备由锰、铜、硅、钴、铁、镍中两种以上的金属氧化物充分混合而成的陶瓷氧化物粉体;继而将制得的陶瓷氧化物粉体混入甘油和1%~10%的PVA之中配成浆料,并通过丝网印刷工艺把浆料印至基片成薄膜,待溶剂完全挥发后进行压片处理及脱模处理;最后对脱模的陶瓷热敏电阻薄片坯在1000~1300℃的高温下烧结致密,并冷却至室温成品。应用本发明的技术方案,其体现的显著优点为:结合了丝网印刷、陶瓷压片和烧结工艺,从而实现了微米量级厚的陶瓷热敏电阻薄片的制备,一方面为该种薄片电阻的批量制备提供的行之有效的方法,另一方面由此得到的薄片电阻厚度可控、密度均匀、可靠性好、成品率高。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 热敏电阻 制备 方法 | ||
【主权项】:
陶瓷热敏电阻的制备方法,其特征在于包括步骤:Ⅰ、制备陶瓷氧化物粉体,粉体由锰、铜、硅、钴、铁、镍中两种以上的金属氧化物充分混合而成;Ⅱ、将步骤Ⅰ制得的陶瓷氧化物粉体混入甘油和1%~10%的PVA之中配成浆料;Ⅲ、通过丝网印刷工艺把浆料印至基片成薄膜,待溶剂完全挥发后进行压片处理及脱模处理;Ⅳ、对脱模的陶瓷热敏电阻薄片坯在1000~1300℃的高温下烧结致密,并冷却至室温成品。
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