[发明专利]一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置

摘要

一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，主要由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成，在键合衬底上制作有2组加热环形电阻和1对静电金属极板，可使待调器件的压膜阻尼系数减小或增加1-2个数量级，从实现对MEMS传感器Q值的封装后调制，此装置结构设计紧凑、巧妙，操作方便、响应迅速、可调精度高。

主权项

一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，其特征在于：主要结构由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成；在键合衬底（2）上掺杂有巨型环形电阻（21、22），环形电阻（21、22）的四周和所围的中央区域淀积有二氧化硅层（3），在键合衬底（2）中央区域的二氧化硅层（3）上制作有下极板金属层（18），在键合衬底（2）四周区域的二氧化硅层（3）上淀积有氮化硅层（54），在键合衬底（2）的下部区域的二氧化硅层（3）上制作有环形电阻正极（6、8）、环形电阻负极（7、9）下极板电极（11），在四周区域的氮化硅层（4）上淀积有键合金属层（5），在下极板电极（11）和环形电阻负极（9）之间的中心区域的二氧化硅层（3）上淀积有氮化硅层（4），在氮化硅层（4）上淀积有上极板电极（10），环形电阻（21、22）的两端分别通过环形电阻正极引出线（22、24）环形电阻负极引出线（23、25）引入到环形电阻正极（6、8）、环形电阻负极（7、9），下极板金属层（18）通过下极板金属层引出线（19）与下极板电极（11）相连，键合金属层（5）上密闭键合有键合帽（1），键合帽（1）的内侧加工凹腔（14）后形成硅弹性膜（13）和外框基座（12），凹腔（14）的内壁淀积有上极板金属层（15），外框基座（12）的下表面的淀积有键合金属层（16），键合帽（1）和键合衬底（2）牢固键合后的凹腔（14）内密封有膨胀性气体。