[发明专利]整面压合式倒装LED及其制备方法无效
| 申请号： | 201210069420.6 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569586A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;许坤;张连璧 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种整面压合式倒装LED及其制备方法。该结构从下至上依次包括：LED芯片n型层，LED芯片多量子井发光层，LED芯片p型层，LED芯片p型层的上方为正电极，且在LED芯片多量子井发光层的一侧制备有负电极，正电极上覆盖有绝缘层，该绝缘层覆盖除了负电极和正电极的一小部分整个结构，留出正电极通孔，负电极通孔或者正负电极裸露出来一部分；在绝缘层上面有一层金属层，且金属层中间留出一条绝缘通道，使整个金属层分为两个区域，一个区域连接负电极，一个区域连接正电极，即LED的负电极与正电极连接到同一个金属层平面上。本发明可以减小负电极的面积，提高出光效率，大大简化了工艺过程，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 整面压 合式 倒装 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
整面压合式倒装LED，其特征在于：从下至上依次包括：LED芯片n型层，LED芯片多量子井发光层，LED芯片p型层，LED芯片p型层的上方为正电极，且在LED芯片多量子井发光层的一侧制备有负电极，正电极上覆盖有绝缘层，该绝缘层覆盖除了负电极和正电极的一小部分整个结构，留出正电极通孔，负电极通孔或者正负电极裸露出来一部分；在绝缘层上面有一层金属层，且金属层中间留出一条绝缘通道，使整个金属层分为两个区域，一个区域连接负电极，一个区域连接正电极，即LED的负电极与正电极连接到同一个金属层平面上。
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