[发明专利]整面压合式倒装LED及其制备方法

权利要求书

1.整面压合式倒装LED，其特征在于：从下至上依次包括：LED芯片n型层，LED芯片多量子井发光层，LED芯片p型层，LED芯片p型层的上方为正电极，且在LED芯片多量子井发光层的一侧制备有负电极，正电极上覆盖有绝缘层，该绝缘层覆盖除了负电极和正电极的一小部分整个结构，留出正电极通孔，负电极通孔或者正负电极裸露出来一部分；在绝缘层上面有一层金属层，且金属层中间留出一条绝缘通道，使整个金属层分为两个区域，一个区域连接负电极，一个区域连接正电极，即LED的负电极与正电极连接到同一个金属层平面上。

2.根据权利要求1所述的整面压合式倒装LED的制备方法，其特征在于：

(A)制作成只有LED芯片n型层，LED芯片多量子井发光层，LED芯片p型层的结构；

(B)在(A)结构上，制作正负电极；

(C)在(B)结构上制备绝缘层，分别在正负电极腐蚀出正电极通孔，负电极通孔，或者使正负电极裸露出来一部分；

(D)在(C)结构上制作一层金属层，使成为两部分互相绝缘，两部分分别与正、负电极相联，金属层在同一平面内，将原来不在同一平面的正负电极连接到同一平面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

(E)制作与(D)结构中压合金属层图案相对应的基板金属图形，然后与基板做对准压合动作，使芯片上压合层金属与基板金属图形相互对应，或者将LED芯片与基板金属图形对应放置用共晶的方式实现LED芯片与基板的连接。