[发明专利]存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210068710.9 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102983272A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 山中贵哉;首藤晋;浅尾吉昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 周春燕;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其特征在于，具备：第1信号线；第2信号线；晶体管，其对在前述第1信号线与前述第2信号线之间流动的第1方向的电流及与前述第1方向相反的第2方向的电流的各自的导通进行控制；第1存储区域，其连接于前述第1信号线与前述晶体管的一端之间，具有第1磁性隧道接合元件，该第1磁性隧道接合元件若在前述第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行；以及第2存储区域，其连接于前述第2信号线与前述晶体管的另一端之间，具有第2磁性隧道接合元件，该第2磁性隧道接合元件若在前述第2方向流动比前述第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第1方向流动比前述第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行。
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