[发明专利]存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，具备：

第1信号线；

第2信号线；

晶体管，其对在前述第1信号线与前述第2信号线之间流动的第1方向的电流及与前述第1方向相反的第2方向的电流的各自的导通进行控制；

第1存储区域，其连接于前述第1信号线与前述晶体管的一端之间，具有第1磁性隧道接合元件，该第1磁性隧道接合元件若在前述第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行；以及

第2存储区域，其连接于前述第2信号线与前述晶体管的另一端之间，具有第2磁性隧道接合元件，该第2磁性隧道接合元件若在前述第2方向流动比前述第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第1方向流动比前述第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

前述第1磁性隧道接合元件具有将第1磁化自由层、第1隧道势垒层及第1磁化固定层按顺序层叠而成的第1层叠体；

前述第2磁性隧道接合元件具有将第2磁化自由层、第2隧道势垒层及第2磁化固定层按顺序层叠而成的第2层叠体；

沿着前述第1方向，前述第1层叠体的层叠顺序与前述第2层叠体的层叠顺序相互相反。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

前述第1磁化自由层的体积，比前述第2磁化自由层的体积小。

4.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

前述第1磁化自由层与前述第2磁化自由层在同一平面上以同一厚度设置；

前述第1隧道势垒层与前述第2隧道势垒层在同一平面上以同一厚度设置；

前述第1磁化固定层与前述第2磁化固定层在同一平面上以同一厚度设置。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

前述第1存储区域具有第3磁性隧道接合元件，该第3磁性隧道接合元件设置于前述第1信号线与前述第1磁性隧道接合元件之间，且若在前述第1方向流动比前述第1平行阈值小的第3平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第2方向流动比前述第1反平行阈值小的第3反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行。

6.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

前述第1存储区域具有第3磁性隧道接合元件，该第3磁性隧道接合元件设置于前述第1信号线与前述第1磁性隧道接合元件之间，且若在前述第1方向流动比前述第1平行阈值小的第3平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第2方向流动比前述第1反平行阈值小的第3反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行；

前述第3磁性隧道接合元件具有将第3磁化自由层、第3隧道势垒层及第3磁化固定层按顺序层叠而成的第3层叠体；

沿着前述第1方向，前述第1层叠体的层叠顺序与前述第3层叠体的层叠顺序相互相同。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

前述第2存储区域具有第4磁性隧道接合元件，该第4磁性隧道接合元件设置于前述第2信号线与前述第2磁性隧道接合元件之间，且若在前述第2方向流动比前述第2平行阈值小的第4平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第1方向流动比前述第2反平行阈值小的第4反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行。

8.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

前述第2存储区域具有第4磁性隧道接合元件，该第4磁性隧道接合元件设置于前述第2信号线与前述第2磁性隧道接合元件之间，且若在前述第2方向流动比前述第2平行阈值小的第4平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第1方向流动比前述第2反平行阈值小的第4反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行；

前述第4磁性隧道接合元件具有将第4磁化自由层、第4隧道势垒层及第4磁化固定层按顺序层叠而成的第4层叠体；

沿着前述第1方向，前述第2层叠体的层叠顺序与前述第4层叠体的层叠顺序相互相同。