[发明专利]一种浮栅的制备方法无效
| 申请号： | 201210066527.5 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102610504A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浮栅的制备方法，具体步骤如下：步骤一:形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。本发明涉及的浮栅完全是炉管沉积出来的，没有经过CMP的研磨，其厚度是均匀的，有效地提高了编程和擦除的性能，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：步骤一: 形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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