[发明专利]一种三维波导结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201210064678.7 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102565940A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 时文华;付思齐;缪小虎;周韦娟;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13;G02B6/10 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明设计光学技术领域，尤其是一种三维波导结构及其制作方法，包括以下步骤：在基底上生长下包层；在下包层上生长第一波导芯层；然后刻蚀第一波导芯层，控制刻蚀深度至下包层，形成第一波导层；控制生长温度70℃～200℃，生长第一隔离层；剥离第一波导层表面的第一隔离层，并采用化学机械抛光法降低第一隔离层及第一波导层表面粗糙度；控制生长温度70℃～200℃，生长第二隔离层；在第二隔离层上生长第二波导芯层；然后刻蚀第二波导芯层，控制刻蚀深度至在第二隔离层，形成第二波导层；在所述第二隔离层及第二波导层表面生长上包层，获得三维波导结构。通过本发明方法制作的三维波导能大大减少波导交叉损耗，达到忽略损耗的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 波导 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种三维波导结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在基底(11)上生长下包层(12)；步骤二：在下包层(12)上生长第一波导芯层；然后以光刻胶(14)为掩膜采用干法刻蚀法刻蚀第一波导芯层，控制刻蚀深度至下包层(12)，形成第一波导层(13)；步骤三：控制生长温度70℃～200℃，在光刻胶(14)及下包层(12)表面生长第一隔离层(15)；步骤四：溶解所述步骤三的光刻胶(14)并剥离第一波导层(13)表面的第一隔离层(15)，然后采用化学机械抛光法降低第一隔离层(15)及第一波导层(13)的表面粗糙度；步骤五：在第一隔离层(15)及第一波导层(13)表面生长第二隔离层(16)；步骤六：在第二隔离层(16)上生长第二波导芯层；然后以光刻胶为掩膜采用干法刻蚀法刻蚀第二波导芯层，控制刻蚀深度至在第二隔离层(16)，形成第二波导层(17)；步骤七：溶解所述步骤六的光刻胶后在所述第二隔离层(16)及第二波导层(17)表面生长上包层(18)，获得三维波导结构。
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