[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效
申请号: | 201210058232.3 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN102683366B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 荻田知治;山本笃志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。该固态成像装置包括像素,每个像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件;滤色器,与像素相对应,并且具有多个滤色器部件;微型透镜,将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件;遮光膜,设置在滤色器的滤色器部件之间;以及非平坦的粘合剂膜,设置在滤色器和遮光膜之间。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:像素,每个所述像素都具有将入射光转换成电信号的光电转换元件;滤色器,与所述像素相对应,并且具有多个滤色器部件;微型透镜,将所述入射光通过所述滤色器会聚到所述光电转换元件;以及遮光膜,设置在所述滤色器的所述滤色器部件之间,其中,在所述滤色器和所述遮光膜之间仅设置有非平坦的粘合剂膜,并且其中,所述粘合剂膜的厚度小于所述遮光膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的