[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效
申请号: | 201210058232.3 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN102683366B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 荻田知治;山本笃志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
像素,每个所述像素都具有将入射光转换成电信号的光电转换元件;
滤色器,与所述像素相对应,并且具有多个滤色器部件;
微型透镜,将所述入射光通过所述滤色器会聚到所述光电转换元件;
遮光膜,设置在所述滤色器的所述滤色器部件之间;以及
非平坦的粘合剂膜,设置在所述滤色器和所述遮光膜之间。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述滤色器是被平坦化的。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述粘合剂膜设置在所述遮光膜的一个表面和所述滤色器之间。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
绝缘体膜,设置在所述光电转换元件和所述滤色器之间;
其中所述滤色器嵌入在所述绝缘体膜中。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中氧化物膜设置在所述粘合剂膜和所述遮光膜之间。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中所述氧化物膜设置在所述遮光膜的一个表面上。
7.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中所述遮光膜包括:
第一遮光部分,形成在所述滤色器部件的边部,以及
第二遮光部分,形成在所述像素区域的角部,
其中所述像素的前侧到所述第二遮光部分朝着所述微型透镜的端面的距离比所述像素的前侧到所述第一遮光部分朝着所述微型透镜的端面的距离短。
8.一种固态成像装置的制造方法,所述方法包括:
形成像素,每个所述像素都具有光电转换元件,所述光电转换元件用于将入射光转换为电信号;
形成遮光膜,所述遮光膜设置在滤色器的多个滤色器部件之间;
在所述遮光膜上沉积非平坦的粘合剂膜;
在所述粘合剂膜上且在所述遮光膜之间形成所述滤色器;以及
在所述滤色器上形成微型透镜,所述微型透镜将入射光通过所述滤色器会聚到所述光电转换元件上。
9.一种电子设备,包括:
固态成像装置,包括:
像素,每个所述像素都具有光电转换元件,所述光电转换元件用于将入射光转换为电信号,
滤色器,与所述像素相对应,并且具有多个滤色器部件,
微型透镜,将所述入射光通过所述滤色器会聚到所述光电转换元件,
遮光膜,设置在所述滤色器的所述滤色器部件之间,以及
非平坦的粘合剂膜,设置在所述滤色器和所述遮光膜之间;以及
光学透镜,将所述入射光引导到所述光电转换元件;以及
信号处理电路,处理所述电信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的