[发明专利]一种Ti50+xNi50-2xSnx形状记忆合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201210051220.8 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102534346A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 佟运祥;郑玉峰;陈枫;李莉;田兵;郭宝 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C22C30/04 | 分类号： | C22C30/04;C22F1/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种Ti50+xNi50-2xSnx形状记忆合金及其制备方法，它涉及记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有TiNi合金在马氏体状态弯曲变形条件下，双程形状记忆应变量较低，及现有TiNiSn合金制备工艺复杂、合金质脆的问题。本发明的形状记忆合金的化学式为Ti50+xNi50-2xSnx，其制备方法是：一、称取Ti、Ni和Sn；二、在非自耗真空电弧炉内，将原料熔炼成铸锭；三、将铸锭放入真空炉中进行均匀化处理；四、将铸锭热轧成板材，在真空炉中进行固溶处理，得产物。本发明工艺简单，所得产物马氏体相变开始温度在72℃左右；弯曲情况下，双程形状记忆应变量可达1.4％。本发明用于制备形状记忆合金。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ti sub 50 ni sn 形状 记忆 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ti50+xNi50‑2xSnx形状记忆合金，其特征在于Ti50+xNi50‑2xSnx形状记忆合金的化学式为Ti50+xNi50‑2xSnx，其中X＝3～4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210051220.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
