[发明专利]阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置有效
申请号: | 201210048847.8 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102681276A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;惠官宝;刘圣烈;崔承镇;张锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置,属于显示技术领域。为克服目前液晶面板对比度过低的问题,本发明提供一种阵列基板,包括限定像素区域的栅线和数据线,像素区域包括薄膜晶体管区域及像素电极图形区域,薄膜晶体管区域形成有栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极及钝化层;像素电极图形区域中形成栅绝缘层、像素电极、钝化层及公共电极,公共电极和像素电极构成了多维电场;其中,在栅绝缘层与像素电极之间形成有彩色树脂层。该技术方案在薄膜晶体管的栅绝缘层上方形成彩色树脂层,有利于使像素区域内部的结构平坦化,可以防止液晶在反射区域的不规则排列,可以防止漏光并提高对比度。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域包括薄膜晶体管区域以及像素电极图形区域,所述薄膜晶体管区域中形成有栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极以及钝化层;所述像素电极图形区域中形成所述栅绝缘层、像素电极、所述钝化层以及公共电极,其中,所述公共电极和像素电极构成了多维电场;其特征在于,在所述栅绝缘层与像素电极之间形成有彩色树脂层。
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