[发明专利]改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法无效
| 申请号： | 201210048744.1 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543859A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张景春;顾梅梅;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法。根据本发明的金属互联工艺方法包括：在多孔介质薄膜密封性上淀积阻挡薄膜；在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜；在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层；执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层，从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔；以及执行NH3等离子体处理，从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层；然后淀积金属互联层。本发明针对大马士革刻蚀后的多孔介质薄膜，在淀积TaN/Ta之前，增加NH3等离子体处理工艺，对裸露的多孔介质薄膜进行封孔，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属 工艺 多孔 介质 薄膜 密封性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法，其特征在于包括：以多层金属互联为例：在多孔介质薄膜上淀积阻挡薄膜；在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜；在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层；执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层，从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔；以及执行NH3等离子体处理，从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层，然后淀积金属互联层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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