[发明专利]改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法

权利要求书

1.一种改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法，其特征在于包括：

以多层金属互联为例：

在多孔介质薄膜上淀积阻挡薄膜；

在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜；

在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层；

执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层，从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔；以及执行NH₃等离子体处理，从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层，然后淀积金属互联层。

2.根据权利要求1所述的改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法，其特征在于进一步包括：执行多层金属互联中的Cu阻挡层和/或晶种层的淀积。

3.根据权利要求1或2所述的改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法，其特征在于进一步包括：在多孔介质薄膜上淀积阻挡薄膜之前，执行NH₃等离子体处理。

4.一种金属互联制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至3之一所述的改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法。