[发明专利]一种提高维持电压的方法有效
| 申请号： | 201210048324.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543999A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;曾传滨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种提高维持电压的方法，包括：首先利用绝缘层上硅工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件；然后在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高维持电压的方法，利用SOI工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件，在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。此高维持电压可控硅作为静电保护器件应用在静电防护领域，具有优异的静电保护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 维持 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种提高维持电压的方法，其特征在于，包括：首先利用绝缘层上硅工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件；然后在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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