[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210048173.1 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102651396A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 安藤裕二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包含场效应晶体管，该场效应晶体管具有：经受晶格弛豫的缓冲层、沟道层和电子供应层，以此顺序以与[0001]或[000-1]晶轴平行的生长模式按顺序使用III族氮化物半导体分别形成在衬底上；并且具有源电极和漏电极，它们与沟道层电耦合；以及形成在电子供应层上的栅电极，其中，在缓冲层和电子供应层中，存在于沟道层的III族原子平面侧上的层具有比存在于沟道层的V族原子平面侧上的层大的A轴长度；并且电子供应层具有比沟道层大的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种配备有场效应晶体管的半导体器件，所述场效应晶体管包括：分别使用III族氮化物半导体以缓冲层、沟道层和电子供应层的顺序堆叠在衬底上方的半导体分层结构；源电极，所述源电极与所述沟道层电耦合；漏电极，所述漏电极与所述沟道层电耦合；以及栅电极，所述栅电极形成在所述电子供应层上方，其中，在所述缓冲层和所述电子供应层中，存在于所述沟道层的III族原子平面侧上的层具有比存在于所述沟道层的V族原子平面侧上的层大的A轴长度；并且所述电子供应层具有比所述沟道层大的带隙。
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