[发明专利]一种减小静态随机存储器漏电流的方法无效
| 申请号： | 201210047394.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543883A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种减小静态随机存储器漏电流的方法，包括有源区、多晶硅栅和接触孔，其中，首先在所述多晶硅栅两侧的部分有源区上覆盖侧墙，并在所述侧墙外侧的有源区上注入形成重掺杂区域，所述侧墙下侧的有源区上注入形成轻掺杂区域；之后通过增加一层光刻板，进行一次调节轻掺杂结深的离子注入工艺，使得所述轻掺杂区域的结深被加深；然后在所述多晶硅栅、所述侧墙以及所述有源区上覆盖接触孔刻蚀停止层和层间介质；最后再进行接触孔刻蚀，以及钨填充和钨平坦工艺，形成共享接触孔。使用本发明，通过添加附加的注入工艺，调节静态随机存储器的共享接触孔下方有源区中轻掺杂区域的冶金结结深，有效地减少静态随机存储器漏电的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 静态 随机 存储器 漏电 方法 | ||
【主权项】：
一种减小静态随机存储器漏电流的方法，包括有源区、多晶硅栅和接触孔，并且所述多晶硅栅和所述有源区相连接，其特征在于，首先在所述多晶硅栅两侧的部分有源区上覆盖侧墙，并在所述侧墙外侧的有源区上注入形成重掺杂区域，所述侧墙下侧的有源区上注入形成轻掺杂区域；之后通过增加一层光刻板，进行一次调节轻掺杂结深的离子注入工艺，使得所述轻掺杂区域的结深被加深；然后在所述多晶硅栅、所述侧墙以及所述有源区上覆盖接触孔刻蚀停止层和层间介质；最后再进行接触孔刻蚀，以及钨填充和钨平坦工艺，形成共享接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210047394.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
