[发明专利]一种减小静态随机存储器漏电流的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制备技术领域，尤其涉及一种减小静态随机存储器（SRAM）的漏电流的方法。

背景技术

静态随机存储器（SRAM）作为半导体存储器中的一类重要产品，在计算机、通信、多媒体等高速数据交换系统中得到了广泛的应用。静态随机存储器（SRAM）的一个重要指标就是其面积，为了节约面积，目前90nm以下工艺代中，基本都采用如图1所示的静态随机存储器（SRAM）的结构。图1为静态随机存储器（SRAM）单元的版图，包括有源区4、多晶硅栅3、和接触孔2这三个层次。为了节约面积，90nm以下工艺代中，都采用了共享接触孔1这一技术，通过缩短连线以达到节约面积的目的。

共享接触孔1虽然可以节省静态随机存储器（SRAM）的面积，但会带来工艺上的问题。图2A为共享接触孔刻蚀前C处的截面图，图2B为共享接触孔刻蚀后C处的截面图，请继续参见图1、图2A和图2B所示，沿图1中切线C做截面图进行解释。在多晶硅栅3两侧的部分有源区上覆盖有侧墙5，侧墙5外侧有源区有重掺杂区域7。侧墙5下面的有源区有轻掺杂区域6，再进行接触孔刻蚀以及其他工艺，形成共享接触孔1，其截面如图2B所示。但如果工艺未进行优化，则侧墙5会被完全刻蚀掉，共享接触孔1会停在轻掺杂区域6之上，由于轻掺杂区域6结深较浅，从而很容易引起漏电的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减小静态随机存储器（SRAM）的漏电流的方法，用以解决现有工艺易会导致轻掺杂区域结深较浅产生漏电的问题。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法，包括有源区、多晶硅栅和接触孔，并且所述多晶硅栅和所述有源区相连接，其中，首先在所述多晶硅栅两侧的部分有源区上覆盖侧墙，并在所述侧墙外侧的有源区上注入形成重掺杂区域，所述侧墙下侧的有源区上注入形成轻掺杂区域；之后通过增加一层光刻板，进行一次调节轻掺杂结深的离子注入工艺，使得所述轻掺杂区域的结深被加深；然后在所述多晶硅栅、所述侧墙以及所述有源区上覆盖接触孔刻蚀停止层和层间介质；最后再进行接触孔刻蚀，以及钨填充和钨平坦工艺，形成共享接触孔。

上述的减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法，其中，所述共享接触孔的形状为矩形。

上述的减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法，其中，所述侧墙为氮化硅。

上述的减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法，其中，所述接触孔刻蚀停止层为氮化硅薄膜。

上述的减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法，其中，所述接触孔刻蚀停止层的下侧具有衬底。

上述的减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法，其中，所述接触孔刻蚀停止层和所述衬底之间还具有浅沟槽。

本发明由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是：

本发明通过附加的注入工艺，调节静态随机存储器（SRAM）的共享接触孔下方有源区中轻掺杂区域的冶金结结深，有效地减少静态随机存储器（SRAM）漏电的现象。

附图说明

图1是静态随机存储器（SRAM）单元的版图；

图2A是共享接触孔刻蚀前C处的截面图；

图2B是共享接触孔刻蚀后C处的截面图；

图3是本发明的一种减小静态随机存储器（SRAM）漏电流增加调节注入区域方法的版图；

图4是调节注入后接触孔刻蚀后D处的截面图。

附图中：1.共享接触孔； 2.接触孔； 3.多晶硅栅； 4.有源区； 5.侧墙； 6.轻掺杂区域； 7.重掺杂区域； 8.层间介质； 9. 接触孔刻蚀停止层；        10.调节轻掺杂结深的离子注入区域； 11.浅沟槽。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明一种减小静态随机存储器（SRAM）漏电流的方法的具体实施方式。