[发明专利]SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片有效
| 申请号： | 201210045896.6 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569564A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 汪延明;姚禹;许亚兵;侯召男;牛凤娟 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片。包括以下步骤：经预热步骤得到预热晶片；在预热晶片表面沉积SiOx钝化膜，在沉积SiOx钝化膜步骤前对预热晶片依次进行多次等离子体活化步骤和预沉积SiOx钝化膜步骤；依次重复等离子体活化处理步骤和预沉积步骤4～6次；预热步骤为在氮气氛围下进行。本发明提供的方法中多次反复沉积，每次沉积后用等离子体轰击钝化膜，使钝膜中的Si原子充分被氧化，可改善SiOx膜层质量，提高钝化膜的致密性，从而提高钝化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | siox 钝化 沉积 方法 具有 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种SiOx钝化膜的沉积方法，包括以下步骤：待沉积晶片经预热步骤得到预热晶片；在所述预热晶片表面沉积SiOx钝化膜，其特征在于，在所述沉积SiOx钝化膜步骤前对所述预热晶片依次进行多次等离子体活化步骤和预沉积SiOx钝化膜步骤；依次重复所述活化处理步骤和预沉积步骤4～6次；所述预热步骤是在氮气气氛下进行的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210045896.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
