[发明专利]SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片

权利要求书

1.一种SiOx钝化膜的沉积方法，包括以下步骤：待沉积晶片经预热步骤得到预热晶片；在所述预热晶片表面沉积SiOx钝化膜，其特征在于，

在所述沉积SiOx钝化膜步骤前对所述预热晶片依次进行多次等离子体活化步骤和预沉积SiOx钝化膜步骤；依次重复所述活化处理步骤和预沉积步骤4～6次；

所述预热步骤是在氮气气氛下进行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体活化步骤的条件为：用等离子体活化60～120s，RF功率为100～250W，气体流量为700～1200sccm，腔体压力为900～1100mtorr。

3.根据权利要求2所述的方法，所述等离子体为N₂等离子体或N₂O等离子。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预沉积步骤的条件为：在250℃～300℃下，沉积30～60s，腔体压力为600～800mtorr，N₂O的流量为700～800sccm，5％SiH₄/N₂的流量为100～200sccm，RF功率为25～50W。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预沉积SiOx钝化膜的厚度为

6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其特征在于，所述预热步骤为在PECVD机内的承片台上进行，所述承片台温度为250～350℃，所述PECVD机处于抽气状体，通入流量为500sccm～1000sccm的氮气1～3min进行预热。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)用去胶液和去离子水在加超声波的条件下清洗待沉积晶片，然后氮气气氛中吹扫甩干所述待沉积晶片；

2)将所述待沉积晶片置于温度为300℃的PECVD机的承片台上，同时通入流量为800sccm的氮气2min，对晶片进行预热步骤，得到所述预热晶片；

3)等离子体活化步骤：用N₂等离子体对腔体及所述预热晶片进行活化处理100s，RF功率为150W，气体流量为1000sccm，腔体压力为1000mtorr；

4)预沉积SiOx钝化膜：在270℃下，腔体压力700mtorr，N₂O流量750sccm，5％SiH₄/N₂流量为150sccm，RF的功率为40W条件下沉积50s，得到厚度为的SiOx钝化膜；

5)重复步骤3)和步骤4)为一个循环，循环5次，得到预沉积片；

6)在所述预沉积片表面沉积SiOx钝化膜，沉积条件：腔体压力750mtorr，N₂O流量为750sccm，5％SiH₄/N₂流量为180sccm，沉积550s，得到晶片；

7)氮气吹扫PECVD机并抽气，然后破真空，取片，经光刻，露出N、P电极，得到LED芯片。

8.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的表面沉积有SiOx钝化膜，所述SiOx钝化膜通过权利要求1-7中任一项所述的方法沉积在所述LED芯片的表面。