[发明专利]发光芯片及发光芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201210044874.8 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103178200A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 翁瑞坪;胡鸿烈;许镇鹏;蔡曜骏 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光芯片及其制造方法。发光芯片包括一外延半导体结构、一导热层、一第一电极以及一第二电极。外延半导体结构具有一第一表面、与第一表面相对的一第二表面以及一侧表面。导热层位于外延半导体结构的第一表面之侧，其中导热层的热传导系数大于200W/mk。第一电极位于导热层远离外延半导体结构的一侧。第二电极位于外延半导体结构的第二表面以与第一电极相对。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光芯片，包括：外延半导体结构，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及侧表面；导热层，位于该外延半导体结构的该第一表面之侧，其热传导系数大于200W/mk；以及第一电极，位于该导热层远离该外延半导体结构的一侧；以及第二电极，位于该外延半导体结构的该第二表面之侧以与该第一电极相对。
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