[发明专利]发光芯片及发光芯片的制造方法

权利要求书

1.一种发光芯片，包括：

外延半导体结构，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及侧表面；

导热层，位于该外延半导体结构的该第一表面之侧，其热传导系数大于200W/mk；以及

第一电极，位于该导热层远离该外延半导体结构的一侧；以及

第二电极，位于该外延半导体结构的该第二表面之侧以与该第一电极相对。

2.如权利要求1所述的发光芯片，其中该导热层的热膨胀系数由5ppm/℃至6ppm/℃。

3.如权利要求2所述的发光芯片，其中该导热层具有多个贯穿该导热层的接触孔，而该第一电极延伸至该多个接触孔中。

4.如权利要求2所述的发光芯片，其中该导热层的材料为导电材料。

5.如权利要求4所述的发光芯片，其中该导电材料包括含碳材料或陶瓷材料。

6.如权利要求5所述的发光芯片，其中该含碳材料的键结结构为sp1或sp2。

7.如权利要求6所述的发光芯片，其中该含碳材料为石墨。

8.如权利要求5所述的发光芯片，其中该陶瓷材料为碳化硅或二硅化钼。

9.如权利要求2所述的发光芯片，其中该导热层的材料为非导电材料。

10.如权利要求9所述的发光芯片，其中该非导电材料包括含碳材料或陶瓷材料。

11.如权利要求10所述的发光芯片，其中该陶瓷材料包括氮化铝或氮化硼。

12.如权利要求9所述的发光芯片，其中该含碳材料的键结结构为sp3。

13.如权利要求12所述的发光芯片，其中该含碳材料为钻石或是类钻石碳。

14.如权利要求1所述的发光芯片，还包括反射层，配置于该导热层与该外延半导体结构之间。

15.如权利要求14所述的发光芯片，还包括缓冲层，配置于该导热层与该反射层之间。

16.如权利要求14所述的发光芯片，还包括欧姆接触层，配置于该外延半导体结构与该反射层之间。

17.如权利要求16所述的发光芯片，其中该反射层的材质包括银、铝。

18.如权利要求1所述的发光芯片，还包括保护层，配置于该外延半导体结构的该侧表面。

19.如权利要求18所述的发光芯片，其中该保护层的材料为绝缘材料。

20.如权利要求1所述的发光芯片，其中该导热层直接接触该外延半导体结构。

21.如权利要求1所述的发光芯片，其中该导热层的膜厚为2～5μm。

22.一种发光芯片的制造方法，包括：

提供外延基板；

形成外延堆叠层于该外延基板上，其中该外延堆叠层至少包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层；

形成导热层于该外延堆叠层的第一表面；

形成第一电极于该导热层远离该外延堆叠层的一侧；

贴合暂时基板于该第一电极远离该外延堆叠层的一侧；

移除该外延基板，以暴露出该外延堆叠层的第二表面；

形成第二电极于该外延堆叠层的该第二表面的上方；

进行单颗化制作工艺使该外延堆叠层分割而形成至少一外延半导体结构；以及

移除该暂时基板。

23.如权利要求22所述的发光芯片的制造方法，还包括于移除该外延基板以及形成该第一电极之后，分割该外延堆叠层以形成该至少一外延半导体结构，以暴露出该外延半导体结构的侧表面。

24.如权利要求23所述的发光芯片的制造方法，还包括形成保护层于该外延半导体结构的该侧表面。

25.如权利要求24所述的发光芯片的制造方法，其中该单颗化制作工艺还使该保护层以及该导热层于各该外延半导体结构间断开。

26.如权利要求22所述的发光芯片的制造方法，其中形成该导热层之前是先将该外延堆叠层分割成该至少一外延半导体结构并暴露出该至少一外延半导体结构的侧表面。