[发明专利]辐射检测器及其制造方法和包含辐射检测器的光刻设备有效
申请号: | 201210042902.2 | 申请日: | 2008-06-24 |
公开(公告)号: | CN102623545A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 斯通扬·尼蒂安沃夫;安瑞·约翰·范德斯吉斯;拜尔拉克·摩艾斯特;威廉姆斯·约瑟夫斯·玛丽亚·凯姆皮尔;马克·安东尼斯·玛丽亚·哈思特;杰拉达斯·威廉姆斯·派卓斯·巴斯;李斯·克伦·南恩沃尔;弗朗西斯科·撒鲁比;安东尼斯·安德里亚斯·约翰内斯·斯凯沃尔;格雷戈里·米查·高迈伦;马蒂恩·伯特;托马斯·鲁东威卡斯·玛丽亚·斯哥特斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;G03F7/20;H01L31/065;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明公开了一种辐射检测器、一种制造辐射检测器的方法和一种包括辐射检测器的光刻设备。在一个实施例中,提供一种包括至少一个检测器的组件。所述至少一个检测器中的每个检测器包括:衬底,具有第一导电类型的掺杂区域;位于所述衬底上的第二导电类型的掺杂剂材料层;扩散层,所述扩散层形成在所述衬底内并且与掺杂剂材料层以及所述衬底的掺杂区域相接触,其中表示所述扩散层的掺杂材料浓度的掺杂性状从所述衬底的掺杂区域至所述掺杂剂材料层是增大的;与所述掺杂剂材料层相连的第一电极;以及与所述衬底相连的第二电极。所述扩散层被布置用以形成辐射敏感表面。 | ||
搜索关键词: | 辐射 检测器 及其 制造 方法 包含 光刻 设备 | ||
【主权项】:
一种包括至少一个检测器的组件,所述至少一个检测器中的每个检测器包括:衬底,具有第一导电类型的掺杂区域;位于所述衬底上的第二导电类型的掺杂剂材料层;扩散层,所述扩散层形成在所述衬底内并且与掺杂剂材料层以及所述衬底的掺杂区域相接触,其中表示所述扩散层的掺杂材料浓度的掺杂性状从所述衬底的掺杂区域至所述掺杂剂材料层是增大的;与所述掺杂剂材料层相连的第一电极;以及与所述衬底相连的第二电极;其中所述扩散层被布置用以形成辐射敏感表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的