[发明专利]辐射检测器及其制造方法和包含辐射检测器的光刻设备

权利要求书

1.一种包括至少一个检测器的组件，所述至少一个检测器中的每个检测器包括：

衬底，具有第一导电类型的掺杂区域；

位于所述衬底上的第二导电类型的掺杂剂材料层；

扩散层，所述扩散层形成在所述衬底内并且与掺杂剂材料层以及所述衬底的掺杂区域相接触，其中表示所述扩散层的掺杂材料浓度的掺杂性状从所述衬底的掺杂区域至所述掺杂剂材料层是增大的；

与所述掺杂剂材料层相连的第一电极；以及

与所述衬底相连的第二电极；

其中所述扩散层被布置用以形成辐射敏感表面。

2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述至少一个检测器中的每一个检测器对于波长为5-200nm之间的辐射是敏感的。

3.根据权利要求1所述的组件，其中，所述第一导电类型是n型导电类型，并且所述掺杂剂材料是受体材料。

4.根据权利要求3所述的组件，其中，所述受体材料包括硼、镓、铝或铟。

5.根据权利要求1所述的组件，其中，所述第一导电类型是p型导电类型，并且所述掺杂剂材料是施主材料。

6.根据权利要求5所述的组件，其中，所述施主材料包括磷、砷或锑。

7.根据权利要求1所述的组件，其中，所述衬底包括结晶硅的外延层，并且所述扩散层位于所述外延层的表面上。

8.根据权利要求1所述的组件，其中，所述第一电极部分覆盖所述掺杂剂层。

9.根据权利要求1所述的组件，其中，所述掺杂剂材料层位于所述衬底的第一表面上，所述衬底还包括与所述第一表面相对的第二表面，并且所述第二电极与所述第二表面相连。

10.根据权利要求1所述的组件，其中，所述至少一个检测器中的每一个检测器的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域是所述掺杂剂层与所述第一电极相连所在的区域，所述第二区域是所述掺杂剂层被保护层覆盖所在的区域，所述保护层配置成使辐射通过、以被所述至少一个检测器中的相应一个检测器测量。

11.根据权利要求1所述的组件，其中，所述辐射敏感表面对于带电粒子辐射敏感。

12.根据权利要求11所述的组件，其中，所述带电粒子是能量为大约200eV和大约40keV之间的电子。

13.根据权利要求1所述的组件，其中，所述扩散层包括与所述掺杂剂材料层相接触的非单晶体子层和单晶体子层。

14.根据权利要求1所述的组件，其中，所述掺杂剂材料层是非晶体层，所述扩散层是晶体层。

15.一种包括至少一个检测器的工具，所述至少一个检测器中的每一个检测器包括：

衬底，具有第一导电类型的掺杂区域；

位于所述衬底上的第二导电类型的掺杂剂材料层；

扩散层，所述扩散层形成在所述衬底内并且与掺杂剂材料层以及所述衬底的掺杂区域相接触，其中表示所述扩散层的掺杂材料浓度的掺杂性状从所述衬底的掺杂区域至所述掺杂剂材料层是增大的；

与所述掺杂剂材料层相连的第一电极；以及

与所述衬底相连的第二电极；

其中所述扩散层被布置用以形成辐射敏感表面。

16.根据权利要求15所述的工具，其中，所述至少一个检测器中的每一个检测器对于波长为5-200nm之间的辐射是敏感的。

17.根据权利要求15所述的工具，其中，所述工具包括衬底处理工具、量测工具和检查工具中的至少一个。

18.根据权利要求15所述的工具，其中，所述至少一个检测器中的每一个检测器的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域是所述掺杂剂层与所述第一电极相连所在的区域，所述第二区域是所述掺杂剂层被保护层覆盖所在的区域，所述保护层配置成使辐射通过、以被所述至少一个检测器中的相应一个检测器测量。

19.根据权利要求15所述的工具，其中，所述辐射敏感表面对于带电粒子辐射敏感。