[发明专利]一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器

摘要

本发明涉及一种紫外探测器，尤其涉及一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器。一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其中，器件包括衬底，依次生长在衬底上的缓冲层，n型掺杂GaN层，非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN吸收层，低掺杂浓度的n型GaN层，低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层，非掺杂的本征AlxGa1-xN倍增层，p型掺杂AlGaN组分缓变层，p型掺杂GaN层。本发明提供了一种可实现低噪声、高增益的高性能紫外雪崩光电探测器。由于器件的特殊结构，正入射的信号即可实现空穴触发的雪崩增益，巧妙地避免了以往背入射的硬性要求，简化了工艺流程，降低了测试难度。

主权项

一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：器件包括衬底（1），依次生长在衬底（1）上的缓冲层（2），n型掺杂GaN层（3），非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN吸收层（4），低掺杂浓度的n型GaN层（5），低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层（6），非掺杂的本征AlxGa1‑xN倍增层（7），p型掺杂AlGaN组分缓变层（8），p型掺杂GaN层（9）。