[发明专利]一种生长可变禁带宽度的Cd1-xZnxTe薄膜的方法

摘要

本发明涉及的是一种Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x<50%的Cd1-xZnxTe薄膜。采用CZT薄膜制备作为叠层太阳能电池顶层吸收层有利于促进低成本、高转化效率太阳能电池的发展，同时CdZnTe薄膜也可应用于高能粒子探测器。

主权项

一种生长可变禁带宽度的Cd1‑xZnxTe薄膜的方法，该方法具有如下工艺过程：将透明导电玻璃SnO2:F放入近空间升华沉积设备的样品台上，在上面沉积Cd1‑xZnxTe薄膜；沉积薄膜前先用真空泵对升华室抽真空至5Pa；采用掺少量Zn的Cd1‑xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，其中x=4%，升华源温度550‑650°C，样品衬底温度300～500°C，腔体气压低于10 Pa，升华时间为30分钟，最终可实现x为5%‑50%的Cd1‑xZnxTe薄膜的可控沉积。