[发明专利]一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210039679.6 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102586780A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 顾顺超;管世兵;严俊 | 申请（专利权）人： | 上海正帆科技有限公司;上海正帆半导体设备有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用，组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。制备方法包括：以氟化氢气体或氟化氢酸，70～98wt％的硝酸水溶液和硅或二氧化硅为原料，按上述配比混合，得酸性蚀刻液。酸性蚀刻液用于蚀刻硅晶片、GaAs晶片、GaP晶片或InP晶片的蚀刻。本发明与传统的蚀刻液不同，不需要对环境造成较大负担的醋酸、磷酸等，不会产生异味，也可减小废弃物的负荷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 酸性 蚀刻 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海正帆科技有限公司;上海正帆半导体设备有限公司;上海交通大学，未经上海正帆科技有限公司;上海正帆半导体设备有限公司;上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210039679.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
