[发明专利]一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210039679.6 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102586780A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 顾顺超;管世兵;严俊 | 申请（专利权）人： | 上海正帆科技有限公司;上海正帆半导体设备有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 酸性 蚀刻 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。
2.根据权利要求1所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成包括：2～15wt％的氢氟酸，25～40wt％的硝酸，2.5～15wt％的氟硅酸，其余为水。
3.根据权利要求2所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成包括：5～15wt％的氢氟酸，30～40wt％的硝酸，5～14.5wt％的氟硅酸，其余为水。
4.根据权利要求1所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成还包括：0.01～10wt％的醋酸和/或0.01～10wt％的磷酸。
5.根据权利要求1所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成还包括表面活性剂或螯合剂。
6.根据权利要求1所述的一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液pH≤1。
7.一种酸性蚀刻液的制备方法，包括：
以氟化氢气体或氟化氢酸，70～98wt％的硝酸水溶液和硅或二氧化硅为原料，按1～20wt％的氢氟酸、20～60wt％的硝酸和1～20wt％的氟硅酸的配比混合，得酸性蚀刻液。
8.一种酸性蚀刻液的应用，其特征在于：所述蚀刻液用于蚀刻硅晶片、GaAs晶片、GaP晶片或InP晶片的蚀刻。
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