[发明专利]能降低邻近字线或晶体管影响的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210037153.4 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103165609A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林瑄智 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种能降低邻近字线影响的半导体器件，包括有：基底；第一字线，设置在基底中，及漏极/源极掺杂区，设置在第一字线两侧的基底中，其中第一字线具有第一栅极沟渠，设置在基底中；第一栅极电极，设置在第一栅极沟渠内；第一栅极介电层，设置在第一栅极电极和基底之间；及至少一个第一电荷捕捉层，邻近第一栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 邻近 晶体管 影响 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种能降低邻近字线影响的半导体器件，其特征在于，包括：基底；第一字线，设置在基底中，及源极/漏极掺杂区，设置在第一字线两侧的基底中，其中第一字线包括有：第一栅极沟渠，设置在基底中；第一栅极电极，设置在第一栅极沟渠内；第一栅极介电层，设置在第一栅极电极与基底之间；及至少一个第一电荷捕捉层，邻近第一栅极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210037153.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造半导体器件的复合晶圆
- 下一篇：具有晶体管区域互连的半导体设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
