[发明专利]能降低邻近字线或晶体管影响的半导体器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，特定是涉及一种能够减少邻近器件的影响的半导体装置。

背景技术

场效应晶体管等存取晶体管会用在如动态随机存取存储(DRAM)单元等的存储器结构中。存取晶体管可控制那些用来储存电荷的电容，此电荷亦即代表了内存单元中内含的信息。

在DRAM阵列结构中，一条字线(word line)会与多个晶体管栅极耦接，而一条位线(bit line)则会与多个晶体管漏极耦接。在DRAM阵列的运作期间，位在所选字线与位线交接处的存取晶体管会被开启(ON)，以存取DRAM阵列中的DRAM单元。

目前的DRAM单元尺寸越作越小，以降低制作成本并增加其运作速度。然而，随着器件尺寸的缩减，DRAM阵列中的字线彼此的间距离越来越近。在此状况下，当一晶体管栅极开启时，其通常会影响到邻近晶体管栅极的功能运作。

发明内容

本发明的目的即在于提供一种可减少邻近字线或邻近晶体管影响的半导体器件，以解决上述公知技术中的问题。

根据本发明一态样，其中提供了一种可减少邻近字线影响的半导体器件。所述半导体器件包含：一基底、一设置在基底中的第一字线、一设置在第一字线两侧基底中的源极/漏极掺杂区域。所述第一字线包含：一设置在基底中的第一栅极沟渠、一设置在所述第一栅极沟渠中的第一栅极电极、一设置在第一栅极电极与基底间的第一栅极介电层、以及至少一个邻近栅极电极的第一电荷捕捉介电层，其中所述第一电荷捕捉介电层包含二氧化铪(HfO₂)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、锗纳米晶层(germanium nanocrystal layer)、有机电荷捕捉材料、HfSiO_xN_y或MoSiO_qN_z、或其组合，其中的x、y、q及z为整数。

根据本发明另一态样，其中提供了一种能够减少邻近晶体管影响的半导体器件，其包含：一基底、一设置在基底上的晶体管。所述晶体管包含：一设置在基底上的第一栅极电极、一设置在所述第一栅极电极与基底之间的第一栅极介电层、以及至少一个邻近第一栅极电极的第一电荷捕捉介电层，其中所述第一电荷捕捉介电层包含二氧化铪(HfO₂)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、锗纳米晶层(germanium nanocrystal layer)、有机电荷捕捉材料、HfSiO_xN_y或MoSiO_qN_z、或其组合，其中的x、y、q及z为整数。

根据本发明另一态样，其中提供了一种能够减少邻近器件影响的半导体器件，其包含：一基底、一设置在基底中的浅沟渠、以及一填入所述浅沟渠中的电荷捕捉介电层，其中所述电荷捕捉介电层包含二氧化铪(HfO₂)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、锗纳米晶层(germanium nanocrystal layer)、有机电荷捕捉材料、HfSiO_xN_y或MoSiO_qN_z、或其组合，其中的x、y、q及z为整数。

本发明的这类目的与其它目的将可在阅者读过下文中以多种图示与绘图来描述的优选实施例的细节说明后变得更为显见。

附图说明

本说明书内含附图构成了本说明书的一部分，以使阅者能够对本发明实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在这些图示中：

图1至图4示意性地表示出根据本发明一第一优选实施例中一种能够减少邻近字线影响的半导体器件的制作方法；

图5表示出本发明能够减少邻近字线影响的半导体器件的一变形态样；

图6表示出本发明能够减少邻近字线影响的半导体器件的另一变形态样；

图7表示出用在本发明能够减少邻近字线影响的半导体器件中的字线的数种变形态样；

图8示意性地表示出根据本发明一第三优选实施例中一种能够减少邻近晶体管影响的半导体器件的制作方法；

图9示意性地表示出根据本发明一第四优选实施例中能够减少邻近晶体管影响的半导体器件的一变形态样；